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国际先进的感应淬火技术
2019/06/04
1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW···
  • 06/04
    2019
    1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用···
  • 06/04
    2019
    1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用···
  • 06/04
    2019
    1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用···
  • 06/04
    2019
    1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用···
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